افشین رشید _ اُستادیار ؛ عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران: (نانو ساختار های اندو هِدرال) در ادوات نانو اپتیکـی (xAs-AlxGa1) را در (حالت 45.0<x) به همراه تغییرات فاصله لبه نوار ظرفیت با لبه نوار هدایت با تغییرx در سه راستای مختلف انتشار موج پیدا میکند.به سبب نبود عایق مناسب برای به کارگیری در گیت ترانزیستورها و نیز گرانی عناصر و فرایند لایه نشانی نیمه هادی های مرکب ،سیلیکون و نهایتاً آلیاژ سیلیکون ـ ژرمانیوم همچنان به عنوان نیمه هادی اصلی مورد استفاده باقی مانده است.